#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
文档 |
Multiple Devices 01/Jul/2009 |
产品更改通知 | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 60A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 14 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 81nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3220pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.4W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube;;其他的名称; |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Rail |
最大漏源电阻 | 14@10V |
最大漏源电压 | 60 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大功率耗散 | 150000 |
最大连续漏极电流 | 60 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 60A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
其他名称 | NTP60N06GOS |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 14 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.4W |
标准包装 | 50 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3220pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 81nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏极电流(最大值) | 60 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
功率耗散 | 150 W |
安装 | Through Hole |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.014 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | TO-220AB |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 60 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
连续漏极电流 | 60 A |
NTP60N06G也可以通过以下分类找到
NTP60N06G相关搜索